技术编号：6223310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其过程为步骤a,将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试；步骤b,加载样品后，对样品进行测量，分别统计18O、16O的计数率；步骤c,根据上述步骤a12的测量结果计算18O、16O的比值；步骤d,对测量值进行校正及不确定计算；步骤e,结束测量。本发明SIMS测量深度氧化的金属铀中氧同位素的方法，通过对环境中氧的解决、测量条件的优化等研究...
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