技术编号：6232559
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种，来获得二氧化硅的膜厚。本发明不再通过不断进行实验，直至二氧化硅的膜厚达到要求的方法。而是通过模拟在给定温度条件下干氧在硅基片中扩散至给定厚度的过程，得到扩散系数与温度之间的关系，进而计算任意温度下的扩散系数。根据计算得到的扩散系数，可以模拟干氧在给定条件下在硅基片中的扩散，预先计算出SiO2的膜厚，在小范围内调节工艺参数，并寻找出最佳工艺参数，缩小实验范围，提高炉管栅氧程式建立效率，减少实验次数。专利说明 [0001] 本发明涉及微...
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