技术编号:6235307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的,包括提供一半导体衬底,所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层;探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息,得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差;以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差,判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本发明,使用电学检测的方法,检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势,检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控,也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片,弥补了传统检测方法的不足。专利...
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