技术编号:6235352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,包括求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率;求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系;根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系,求出特征失效几率随VG的变化关系;取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD;根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响,而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度...
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