技术编号:6243563
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种近红外多光子探测器,包括光电雪崩二极管阵列、读出芯片;其中,所述光电雪崩二极管阵列包括成阵列排布的多个单元,每一单元包括一个InGaAs/InP材料的光电雪崩二极管;所述光电雪崩二极管阵列中的各个InGaAs/InP材料的光电雪崩二极管通过In柱与所述读出芯片连接。专利说明一种近红外多光子探测器 [0001]本发明涉及光子探测器,特别涉及一种近红外多光子探测器。 背景技术 [0002]单光子探测器(Single Photon Det...
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