技术编号:6251761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,本发明属于传感器领域,它为了解决现有光电位置传感材料的位置灵敏度较低以及响应速度慢的问题。该光电位置传感材料具有金属氧化物—SiO2—Si三层结构,在Si基片上采用激光脉冲沉积有金属氧化物层,其中的金属氧化物为Fe3O4、ZnO或TiO2。制备方法一、超声波清洗Si基片;二、金属氧化物粉末研磨压片,烧结处理后得到金属氧化物靶材;三、采用准分子激光器照射金属氧化物靶材,在Si基片上脉冲激光沉积金属氧化物层,沉积结束后冷却到室温。本发明所述的光电位置传感材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。