技术编号：6273832
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电流源产生，特别涉及一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路。背景技术基准电流源是CMOS集成电路中非常重要的模块，基准电流源为CMOS集成电路提供电流偏置，因此，基准电流源的性能直接影响整个CMOS集成电路的性能。现有技术中，基准电流源的产生一般是采用双极型晶体管实现的带隙基准电路。带隙基准电路的工作原理是利用两个基射结电压的差(AVbe)的正温度系数和双极型晶体管的基极-发射极电压(Vbe)的负温度系数，以一定的比例相加和，即可将温度系数抵消...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。