技术编号：6277503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基准电压半导体器件，该器件将两个或多个阈值电压不同、导电类型相同的MOS(金属氧化物半导体)晶体管串联起来以产生基准电压，其特征在于，其温度特性曲线平直，且有一个低基准电压发生装置。举例说，图2所示的基准电压电路就是一般用来在MOS集成电路中产生基准电压的。这种基准电压电路利用了耗尽型N沟道MOS晶体管201恒定的电流特性，并用栅极接漏极、在恒定电流下工作的增强型N沟道MOS晶体管202上产生的电压作为基准电压。MOS晶体管处于饱和状态时满足...
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