技术编号:6280470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体硅片加i设备的部件,尤其涉及一种对半导体硅片进行刻蚀及CVD (化学气相沉积)加工的设备的反应腔室。背景技术在半导体硅片刻蚀加工中,多个材料层可以交替沉积在硅片表面上,并通过光刻技术在硅片表面刻出图形,经过刻蚀过程刻蚀出剖面结构。通常设置适当的掩膜,例如光刻 胶掩膜,通过光刻在晶片表面形成所需的图形。在等离子体刻蚀过程中,釆用合适的刻蚀 源气体形成等离子体,用等离子体刻蚀没有光刻掩膜的区域,形成所需的图形。如图1所示,是目前常用的等离子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。