技术编号：63261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及一种分析材料成份的方法和装置，并涉及利用衍射对半导体材料成份的分析。“成份”一词在此意指化学成份。存在很多可以分析材料的化学成份的方法，如X射线的发射特性或光致发光特性的方法。也存在各种衍射法，如X射线、电子束或中子束等衍射法。在这些方法中通常是测量材料的点阵参数(即点阵平面间的距离)。例如可以利用韦格定律(Vegard law)对材料进行测量，并且因此可以从这些测量值中计算出材料的成份。但是，用这种方法也存在很多问题。对于某些材料如SiGe，韦格定律不成立，根据此定律判断成份会给出错误的结论。希望能够...
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