技术编号：6326941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过真空控制阀对制造工艺中使用的真空容器内的流体行为进行控 制的技术。背景技术在半导体的制造工艺中，包括下述工序，即例如，在进行化学气相沉积(CVD)时， 将处理对象晶圆W配置在真空的真空容器710 (参照图20、图21)的内部，并使晶圆W的处 理面Ws暴露于工艺气体(在本说明书中，仅称为气体)中。工艺气体含有薄膜构成元素， 在处理面Ws上进行反应从而形成膜物质。为了形成均勻的膜，要求更加稳定均勻地将工艺气体提供给晶圆W。另一方面，在 现有的CV...
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