技术编号:6327162
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。纯MOS结构高精度电压基准源本发明属于模拟集成基准源电路,具体涉及一种纯MOS结构的高性能电 压基准源。背景技术利用CMOS工艺中的寄生三极管来实现带隙基准,存在面积过大,功耗较高等问 题。从而更多工程师将研究利用纯CMOS工艺技术来实现电压或电流基准作为主要方向,并 取得了一些成果[1,2,3]。目前利用纯CMOS器件实现电压基准主要有三种一种是利用MOS器件亚阈值指数 特性[1];一种是基于MOS器件的阈值电压[2];另一种是基于MOS器件栅源电压差的...
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