技术编号：6328373
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺加热器温度控制，尤其涉及一种。背景技术随着半导体工艺和集成度的不断提高，对硅片表面的工艺处理精度提出了更高的要求，这些都依赖于工艺过程中的温度控制的精度，而温度的变化过程是一个惯性加滞后的过程，为了补偿这种滞后特性缩短工艺时间进而提高产能，在温度控制算法中加入了前馈补偿算法。特别是对于立式多温区热处理设备，因为热量向反应室上部聚集，并且反应室下部因结构原因热损失较大，这样如果给各温区相同的功率输入，它们的升(降)温曲线和滞后的时间都有差...
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