技术编号：6348527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过分析来判断熔化氧化硅粉末成形体而形成氧化硅玻璃坩埚 (以下，简称坩埚)时，为了制造无缺陷高品质坩埚的最合适制造条件的方法，尤其是计算出熔融时坩埚各部分的温度分布，评价在粉体成形(成型)品各部分上构成熔融状态的温度分布变化的计算方法。背景技术作为半导体元件制造用的基板主要使用高纯度单晶硅。作为该单晶硅的制造方法一般采用切克劳斯基法(以下简称CZ法)。在CZ法中，向设置于半导体单晶制造装置内的坩埚填充作为原料的块状多晶硅，通过设置在坩埚周围的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。