技术编号:6356761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法,尤其涉及一种SOI场效应晶体管SPICE模型系列的建模方法,属于微电子器件建模领域。背景技术MOSFET为一种四端口半导体器件,在各个端口施加不同的激励,器件的漏极电流也会相应发生变化。通过对器件建立数学模型,得出输入输出的数学表达式,电路设计者使用该模型进行电路设计的SPICE仿真。目前已提出多种关于MOSFET的数学模型,每种模型都包含大量的参数。SOI场效应管(亦称M0SFET) —般有两种应用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。