技术编号：6364579
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于闪存(FlashMemory,简称 Flash,全称 Flash EEPROM Memory)数据存储与管理。背景技术Flash的读(Read)、写(Program)和擦除(Erase)操作中读和写的基本单位是页， 擦除的基本单位是块。对flash的写操作只能在尚未写入的空闲页上进行，并且只能按照从低地址页到高地址页顺序写。如果想要修改某个已经写过的页，只能先擦除整个物理块， 然后再写入。然而Flash的物理特征决定了它的可擦写次数是有限的，当前...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。