技术编号:6368587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的特性仿真领域,具体地说涉及一种MOS器件的建模方法。背景技术随着集成电路设计的复杂度越来越高,尺寸越来越小,隔离技术在集成电路制造中的作用越来越重要。CMOS工艺下的隔离技术主要包括介质材料隔离和反向PN结隔离等。其中,介质材料隔离在消除寄生晶体管,降低工作电容,以及抑制MOS管的闩锁效应等方面均有出色表现。在3 μ m O. 35 μ m的工艺中,局部氧化(Local Oxidation of Silicon, LOCOS)工艺被广...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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