技术编号：6369030
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路，尤其涉及一种。背景技术当前，随着芯片特征尺寸的不断减小，芯片的泄漏功耗在整个功耗中所占比重越来越大，而芯片泄漏功耗主要由MOS管的泄漏电流引起。MOS管泄漏电流主要由亚阈值漏电流、栅氧化层漏电流和衬底漏电流组成。亚阈值漏电流在三种漏电流中占据主导地位，三种电流的统计计算方式几乎一样，因此，进行基于统计的亚阈值漏电流的计算成了功耗分析的主要部分。 基于统计的芯片功耗分析是一种在数字集成电路设计的门级网表阶段对芯片的整体功耗进行评估的...
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