技术编号:6376323
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通信,尤其涉及一种提高闪存芯片写入速度的方法、闪存存储系统及其控制器。背景技术作为唯一主流的固态非挥发数据储存技术,闪存已经成为了全球半导体产业体系中发展最为迅速的一环。2010年市场研究报告显示,闪存产品的市场已突破200亿美元。基于闪存芯片的固态数据存储系统主要包含一个固态存储系统控制器和一个以上闪存芯片。闪存芯片的基本信息存储单元是浮栅金属氧化物半导体晶体管(Floating-GateTransistor)。浮栅金属氧化物半导体晶体管的阈值...
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