技术编号：6400453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，具体是一种通过错误矫正增加错误纠正能力提高闪存使用寿命的方法。背景技术随着嵌入式技术发展，NAND (与非)闪存的应用越来越广泛。闪存是一种常用的存储介质，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点。通常，一个闪存是由若干个闪存组块组成，每个闪存块又分为若干物理页。闪存块是擦除操作的最小单位，而读写都是以页为单位进行，对于每个物理页进行重写之前，必须先对该页所在的块执行擦除操作。由于在NAND闪存的生产及使用过程中会产生坏块，为了检...
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