同时输入和输出数据的双端的存储器的制作方法技术资料下载

技术编号:6412459

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本发明涉及能够执行高速读修改写(以后称为“RMW”)操作的半导体存储器装置,这种半导体存储器装置被指定作为缓冲器用,在例如三维计算机图形学(以后称为“3DCG”)领域中执行隐藏面处理。近年来已出现了高速大容量存储器,例如时钟同步动态随机存取存储器(DRAM)和运行总线规程类型的存储器。此外,由于个人计算机性能的改善和家用计算机游戏机等的缘故,3DCG领域正在迅速扩展,需要比以往速度更快和容量更大的存储器作为3DCG的图象存储器。图象存储器的应用有作为帧缓冲...
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