技术编号：6412585
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及定时验证用单元电平设计的LSI的技术，特别是涉及估计由热载流子的影响造成的可靠性的劣化、计算劣化后的延迟的方法。在LSI的设计·制造中，由于半导体工艺技术的进步，做到了采用称为超亚微米粒子的小于0.5μm的设计法则进行的元件的微细化。近来来，开发出了可将整个系统载于一个芯片上的高集成化的LSI芯片，开始了称为“硅上系统”时代。另一方面，元件的微细化在LSI工作的可靠性方面存在问题，由于最小加工尺寸为亚微米数量级，所以在设计LSI芯片时，还必须考虑...
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