技术编号：6414390
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的数字分析方法。在半导体器件的数字分析中广泛采用的近似方法是一种把载流子(电子和空穴)当作流体的漂移扩散模型和一种用于高能级近似的能量传输模型。在稳态的漂移扩散模型的器件模拟中，可以建立如下电荷守恒方程、电子流连续方程、和空穴流连续方程作为基本方程。divd=p(电荷守恒方程)(1)D=εE(2)E=-gradφ(3)pq(p-n+ND-NA) (4)D电极化强度p电荷密度E电场强度ε介电常数q基本电荷P空穴密度n电子密度No施主密...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。