技术编号:6416457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的快擦写存储器(Flash Memory)结构及操作方法,其可使正常操作下的快擦写存储器性能与电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)更为接近,并提升至436倍(当数据分配块为256字节)或870倍(当数据分配块为128字节),当改写时,不会因停电、当机、抽换快擦写存储器等事故,造成数据大量丢失,以充分发挥快擦写存储器的功能,且能保留在一定时间内(由剩余的存储空间大小而定)数据修改的相关记录,而在追踪或恢复数据时,能提供相当的数据,令操作...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。