技术编号：6424731
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS建模方法，特别涉及一种77K低温下O. 5微米工艺CMOS模型的建立方法。背景技术对于红外探测器，特别是光导型红外探测器，为了减小系统总体噪声，需要读出电路与红外探测器近距离连接，这就要求电路能在低温下正常工作，而现在代工厂所提供的模型都是针对常温的，没有77K左右的低温模型提供，导致了低温电路设计的不准确。为了解决这个问题，就需要建立实用的低温模型。目前，建立MOS管模型的方法一般分为2种前向传播(forward propagati...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。