技术编号:6432166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。概括地说,本文中描述的实施例涉及存储器系统。 背景技术作为扩展NAND闪速存储器的容量的技术,存在多级记录(MLC 多级基元 (Multi-Level Cell))方法。在该公开中,MLC方法的闪速存储器称为MLC闪速存储器,并且二值记录(SLC 单级基元(Single-Level Cell))方法的闪速存储器称为SLC闪速存储器。 在SLC方法(以下称为SLC模式)中,在作为记录单位的一个基元中记录一个比特(bit)。 另一方面,在MLC方法(以下称为M...
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请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。