技术编号:6433894
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及光刻法的领域,并且更具体地说,涉及一种强化用于长程计算的设计数据结构(design data hierarchy)的方法,而无论研究区(Region Of Interest)(ROI)的尺寸,以用于基于模型的光刻法模拟和光临近校正(OPC)。背景技术 在半导体器件的制作中的光微刻方法,也称为光刻法,包含将所需电路图案复制到半导体晶片上作为总体所需的设计数据结构。所需电路图案通常被表示为被称作光掩模的模板上的不透明和完全或半透明区。在光刻法中,...
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