技术编号:6440646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路设计,特涉及根据流片测试数据建立毫米波场效应晶体管参数化模型的方法。背景技术由于集成电路加工制造工艺技术的飞速发展,使得CM0S(互补金属氧化物半导体)工艺下的MOSFET(场效应晶体管)工作速度大为提升,达到了传统上由III-V族化合物工艺主导的微波工作频段的高频电路对晶体管性能的要求。广义的微波频段的定义通常是300MHz到300GHz,而CMOS工艺现有的RFIC (射频集成电路)商业应用已经有如工作在 2. 4GHz, 5. 4G...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。