技术编号：6459743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的仿真分析技术，特别涉及一种提取MOS晶体管应力效应 模型参数的方法。背景技术随着半导体集成电路工艺的特征尺寸的不断减少，MOS晶体管的应力效应变得越 来越明显。MOS晶体管的应力效应对器件的杂质掺杂分布以及载流子的迁移率都有较大的 影响，最终会影响到MOS晶体管的阈值电压(Vth)和饱和电流(Idsat)的数值。因此，为了 更精确地仿真亚微米或深亚微米MOS晶体管的电学特征，必须准确地提取全套的MOS晶体 管有关应力效应的模型参数。 ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。