技术编号:6471387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储设备及其写入和读出方法,尤其涉及一种多通道闪存阵列结构及其写入和读出方法。背景技术闪存作为一种新的非易失性存储介质,以其存储密度大、携带方便、功耗低、掉电数据保持时间长及抗震性好等诸多优点,已经在消费类电子领域非常普及。在工业及军工领域,也越来越受到重视和欢迎。在一些大容量数据存储应用场合,往往会有多片闪存级联或者组成整列使用,以扩大存储空间和提高数据的吞吐量。但是,由于闪存在写入数据后需要进行较长时间的等待,以确保数据正确写入。典型的,...
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