技术编号：6483966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种版图参数提取方法，尤其是。背景技术针对在辐射环境下电子系统对集成电路的需求，已经有大量的抗辐射加固技术相继出现，其中环形栅结构的晶体管对抑制总剂量辐射效应所引起的漏电非常有效，是最常用的抗辐射加固技术之一。在设计集成电路时通常需要对所设计的版图进行参数提取，这样做主要有两个目的 一个是从版图上提取电路信息，主要是器件类型及其宽长比，以期和之前所设计的电路进行对比(LVS),以保证版图设计的正确性；另外 一个是将实际版图中所存在的可能对电路性能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。