技术编号：6491826
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，分别在多个温度情况下对晶体管失配特性随温度的变化趋势进行分析，挑选了开启电压和迁移率这两个参数，在原先的失配宏模型中的修正公式基础上，分别添加了额外的温度修正公式和修正系数，利用晶体管随高低温变化的失配趋势，对修正系数进行拟合，使得失配模型在不同的温度下，都能反应较好的电特性失配特性，为电路设计者提供了较高的参照依据。专利说明[0001]本发明涉及半导体数字或模拟电路的设计领域，特别是指一种可描述高低温失配特性的晶体管模型。本发明还涉及所...
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