技术编号：6544481
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种NAND闪存系统的数据存储容错编码方法，该方法为将初始数据从左到右进行迭代异或，左起第一位不变，生成码字；判断所述码字的0的数据个数是否过半，若过半，则对码字进行翻转，并在翻转后的数据最后添加标识位。本发明的方法能减少NAND闪存中待存入数据里CSPs数据模式，降低充电峰值电流，提高电压相对较低的区域中数据存储率，降低电压衰减导致的数据错误，从而加强数据可靠性。专利说明一种NAND闪存系统的数据存储容错编码方法[0001]本发明涉及闪存容错...
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