技术编号:6544711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种SOI?MOS器件的建模方法,其中该SOI?MOS器件为BTS型栅SOI?MOS器件,该方法包括a.提取所述MOS器件的模型参数,包括直流参数和交流参数;b.计算额外栅电容;c.以提取的MOS器件模型为基础,采用子电路模型,在栅和体之间加上额外的栅电容,生成最终模型。根据本发明提供的建模方法,考虑BTS型栅SOI器件中额外的山电容对器件的性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对BTS型栅SOI器件的仿真设计。专利说明一种BTS型栅SOI器件的...
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