一种十字形cmos集成霍尔磁传感器的电路仿真模型的制作方法技术资料下载

技术编号:6559412

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本发明涉及一种十字形CMOS集成霍尔磁传感器的通用电路仿真模型。该模型几乎考虑了霍尔传感器的各种物理与几何效应,能模拟霍尔传感器的各种直流、交流和瞬态特性,可在通用的Spice仿真器上与其他电子电路一起完成器件和电路的混合仿真。背景技术霍尔磁场传感器是一种利用霍尔效应原理实现磁电转换的器件,常用于磁场的检测。用CMOS工艺制造的霍尔磁场传感器不仅具有工艺简单、成本低等优点,而且还可以和控制、驱动电路集成在同一个芯片内部,从而实现传感器微系统的低功耗、高可靠...
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