技术编号：6561578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种太阳电池制造的方法，具体是一种。背景技术目前，大规模开发利用太阳能光伏发电的核心在于提升太阳电池的光电转换效率和降低太阳电池的生产成本。带有本征薄层的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池，即HIT太阳电池，可以用200°C以下的低温非晶硅沉积技术来替取代传统晶硅电池生产工艺中的高温过程，因而有望成为单晶硅电池的廉价替代物，在实现低价高效太阳电池方面具有非常重要的应用前景。目前，日本的三洋电机公司在2011年研发的HIT太阳电池已经实现23.0% ...
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