技术编号：6580445
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造工艺和化学机械研磨(CMP)建模技术及其应用领域，尤其涉及一种铝栅CMP协同计算模型的仿真及优化方法。背景技术化学机械研磨(CMP)作为可制造性设计及集成电路工艺研发中实现芯片表面平坦化的超精细加工技术，其模拟仿真方法对CMP工艺和集成电路版图可制造性设计分析起着重要的指导作用。目前，32/28纳米节点的主流工艺技术是高介电常数栅电介质和金属栅极技术(HKMG)，其中，铝栅技术是较为先进的技术。然而，目前对铝金属栅研磨机理尤其是研磨液...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。