技术编号:6581255
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工业中的光刻技术,尤其涉及一种光学临近效应测试图形的形 成方法,还涉及一种基于模型的光学临近效应修正的建模方法。背景技术光学临近效应(Optical Proximity Effect, ΟΡΕ)是指当光束透过掩膜上的图案 投影在晶圆上时,一方面产生衍射,另一方面被晶圆的半导体基体反射回来产生干涉。因 此,需要对掩膜图案进行光学临近效应修正(Optical ftOximityCorrection,0PC)。光学临近效应修正一般分为基于规则的(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。