技术编号：6581908
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及金属/绝缘体/金属(MIM，Metal/ Insulator/Metal)电容建模方法及电容值获取方法。背景技术MIM电容结构是在半导体器件的互连层间形成的电容结构，其可与半导体制造 的后道工艺较好兼容。因而被广泛地应用于例如射频集成电路以及半导体存储器的制造 中。目前的一种MIM电容结构为平行板电容器，例如中国专利200410053732.3中提 及的，其位于半导体器件的顶层金属和顶层下一层金属之间。参照图1所示，金属层下 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
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