技术编号:6584496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储控制技术,特别涉及一种动态随机访问存储器(DRAM)的内存管 理方法及系统。背景技术目前,DRAM技术获得巨大发展,主要应用的有同步动态随机接入存储器(SDRAM)、 双倍数据速率(DDR) SDRAM、第2代双倍数据速率(DDR2) SDRAM和第3代双倍数据速率 (DDR3) SDRAM等多种类型。对于现有的上述类型的DRAM,参见附图说明图1,实际应用系统都至少包 括DRAM内存控制器和DRAM内存颗粒,DRAM内存控制器向DRAM内存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。