技术编号：6602918
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于闪存技术，特别是关于以区块为基础快闪存储装置及其操作方法。 背景技术电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)及闪存包括将电荷储存在通道与场效晶体 管栅极之间的存储单元。所储存的电荷会影响晶体管的阈值电压，且阈值电压会根据所储 存电荷改变而可以用来感测指示数据。其中一种非常惯用的电荷储存存储单元被称为一浮 动栅极存储单元。在一浮动栅极存储单元中，其会储存电荷于通道与栅极之间的一导电材 料层中。另一种电荷储存存储单元型态被称为一电荷捕捉存储单元，其...
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