技术编号：6614873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及空间特殊效应应用领域，尤其涉及。背景技术在真空或低气压工作环境下，电子在微波部件电磁场作用下获得加速，对于大功率微波部件而言，若电子获得的能量足以发生二次电子发射且二次电子在微波部件内表面之间的渡越时间等于电磁场射频周期的奇数倍，电子数目呈雪崩式增长，导致二次电子倍增效应，使得微波部件信号恶化，甚至造成部件永久性损坏。为了克服微波部件二次电子倍增三维仿真过程中由于粒子(电子的数值模型)数目雪崩式增长导致的计算量急剧增加对数值模拟精度与二次电子倍增...
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