技术编号:6639622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。公开了一种,包括1,获取约束晶面的实验刻蚀速率;2,确定目标参数的取值范围和生成目标参数的优化种群;3,建立表面活性剂作用下的蒙特卡罗S-AEP硅原子移除概率函数并计算目标原子的刻蚀概率;4,计算种群中各个体的约束晶面模拟刻蚀速率;5,选取某一约束晶面作为基准晶面并计算种群中各个体的约束晶面仿真刻蚀速率;6,利用个体适应度评价方法筛选出种群中最优个体;7,判断最优个体的约束晶面仿真刻蚀速率是否满足输出条件,满足则输出最优个体并生成单晶硅全刻蚀速率曲线;不满...
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