技术编号:6737669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种TFT寄存器电路,尤其是基于金属诱导横向结晶技术的PMOS 多晶硅TFT寄存器,更具体地,涉及一种TFT移位寄存器版图的拓扑结构。背景技术过去几年,TFT (薄膜晶体管)电路因适应时代发展和大规模应用而被广泛研究。制造TFT电路可以选择多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT),非晶硅薄膜晶体管 (a-Si TFT),有机薄膜晶体管或单晶硅薄膜晶体管。对非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管而言,因存在某些固有缺陷造成低迁移率和高阈值电压,从而...
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