技术编号:6738695
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此描述的实施例涉及一种非易失性半导体存储装置。 背景技术近年来,提出了几种具有三维设置的存储器基元的非易失性半导体存储装置(堆叠类型非易失性半导体存储装置),以提高存储器的集成度。发明内容下面描述的实施例中的非易失性半导体存储装置包括包括多个存储器基元的存储器基元阵列;以及用于控制施加于所述多个存储器基元的电压的控制电路。在此所述的每个存储器基元包括用于存储电荷的电荷存储薄膜,并被配置为能够根据所存储的电荷量保留多种类型阈值电压分布。此外,所述控制电路被...
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