技术编号:6738747
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造半导体存储器装置的方法,尤其涉及一种用于制造半导体存储器装置的列控制块的方法。背景技术如动态随机存取存储器(DRAM)装置的多数半导体存储器装置采用分层数据总线结构。也就是说,局部数据总线设置在存储库区域中,且全局数据总线设置在外围区域中。 局部数据总线本身可以分层布置。图I示出DRAM装置的数据总线结构。参考图1,存储库包括以矩阵形状形成的多个单元阵列。第一至第四段数据总线 SI0〈0>、SI0〈1>、SI0〈2>...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。