技术编号：6739290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文中所揭示的标的物涉及存储器装置，且更特别地涉及用于为相变存储器编程的单脉冲算法。背景技术相变存储器(PCM)可至少部分地基于(仅举几个实例)一种或一种以上特定相变材料(例如硫属化物玻璃或碲化锗锑(GST))的作用或性质而操作。此些材料的结晶或非结晶状态的电阻性彼此之间各不相同，因而展现可存储信息的基础。非结晶高电阻状态可表示所存储的第一二进制状态，且结晶低电阻状态可表示所存储的第二二进制状态。当然，所存储的信息的此二进制表示仅仅为实例相变存储器还可用于...
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