技术编号:6739369
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储装置和相关控制方法,尤指一种具有较少半选取干扰的存储装置及相关方法。背景技术在一存储(例如一静态随机存取存储(RAM))中,可以对该存储之一存储单元(memory cell)写入或读出一逻辑值。当该逻辑值被写入该存储单元时,稱接到该存储单元的字符线(word line)的电位被充电至一高电位,以导通该存储单元的多个开关晶体管(pass transistor)。接着,若被写入的位值系逻辑值I,则稱接至该存储单元之一第一位线(first bi...
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