技术编号:6739507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如快闪存储器等的可电擦除且可编程只读存储器(EEPROM)与其写入方法。背景技术已知的NAND型非易失性半导体装置(例如,参照专利文献1-4)具有在位线和源极线之间以多个存储器单元晶体管(以下称存储器单元)串联连接而成的NAND串行(string),并实现高度集成。在一般的NAND型非易失性存储器装置中,擦除(erase)为施加例如20伏特的高电压至半导体基板,施加0伏特至字线(word line)。因此,电子从例如由多晶硅等形成的电荷蓄积层的...
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