技术编号:6739542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一些示例实施例涉及操作半导体器件的方法,更具体地,涉及。 背景技术随着对具有较高的存储能力并消耗较少的功率的存储器件的需要增大,正在对不仅是非易失性的而且不需要被刷新的下一代存储器件进行研究。这样的下一代存储器件要求具有类似于动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度特征、类似于闪速存储器的非易失性特征、类似于静态RAM (SRAM)的高速工作特性等等。近来,很多的注意已集中在下一代存储器件上,诸如相变RAM (PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合体...
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